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1)在50年代前,感應加熱電源主要有:工頻感應熔煉爐，電磁倍頻器，中頻發電機組和電子管振蕩器式高頻電源。50年代末可控硅的出現則標志著固態半導體器件為核心的現代電力電子學的開始。硅晶聞管的出現推動了感應加熱電源及應用的飛速發展。至今，在中頻〈500Hz~10kz)范圍內,晶閘管中頻感應加熱裝置已完全取代了傳統的中頻發電機組和電磁倍頻器。在高頻范圍內,由于晶閘管本身開關特性等參數的限制，給研制該頻段的電源帶來了很大的技術難度,它必須通過改變電路拓撲結構才有可能實現。
2)70年代末到80年代初,現代半導體微機集成加工技術與功率半導體技術的結合，為開發新型功率半導體器件提供了條件,相繼出現了一大批全控型電力電子半導體器件，極大地推動了電力電子學發展,為固態超音頻,高頻電源的研制提供了堅實的基礎。
3)1983年IGBT的問世進一步推動了感應加熱電源的發展。IGBT綜合了MOS和雙極晶體管的優點,具有通態壓降低,開關速度快,易驅動等優點，自1998年解決了擎住問題后,大功率高速IGBT己成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達100kHz，功率高達MW級電源已可實現

4)在超高頻(100kHz以上)頻段,長期以來由電子管振式變換器產生。80年代興起由大功率半導體開關器件為元件的逆變式高頻感應加熱電源。

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